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目的是在DC性能好、射频性能好的单个器件中，为DC性能好、射频性能差的继电器和DC性能差的射频半导体开关提供替代品。ADI声称其工作频率为34GHz。
考虑到良好的射频和DC特性，功率测试仪和射频仪器都可以通过一组相同的开关连接到被测设备的终端。通用环回测试是另一个潜在的应用。
ADI-MEMS-switch-gen1几年前，ADI推出了以ADGM1304(左)为代表的第一代MEMS继电器。
这些开关中的MEM开关是一个悬臂，末端有一个触点，通过静电力弯曲悬臂将其拉下以完成电路。在该图中，微机电系统芯片上有四个开关，用高压芯片封装，为悬臂提供“栅极”驱动。
ADI-MEMS开关CCT Gen1和2在第二代中，该公司摆脱了悬臂，采用了由两个栅电极操作的跷跷板运动(右图)，这至少有三个优势：
首先，切换时间现在是平衡的——每个切换时间大约为100s，其次，您可以选择切换，而不仅仅是SPST切换。第三个更微妙——如果保持运行，第一代悬臂将逐渐弯曲，最终在驱动电压移除后保持闭合——导致“最大持续时间”规格的引入——第一代为7年，现在在第二代已经超过10年。
产生足够的操作力需要80V的静电，由共封装ic提供(图右上方)。包装为4x 5 x 0.95毫米.
集成驱动芯片提供SPI串行接口和并行接口，并已转移到内部电路板(这是第1代中的引线框架)，允许集成无源元件，包括去耦电容。
触点端口上的片内10电阻将耗尽连接的寄生电容浮动节点上的累积电荷，以防止触点闭合时出现高(破坏性)电流浪涌。
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